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DRAM

DRAM

Dynamic random-access memory (DRAM) is a type of random access semiconductor memory that stores each bit of data in a memory cell consisting of a tiny capacitor and a transistor, both typically based on metal-oxide-semiconductor (MOS) technology.DRAM typically takes the form of an integrated circuit chip, which can consist of dozens to billions of DRAM memory cells. DRAM chips are widely used in digital electronics where low-cost and high-capacity computer memory is required. One of the largest applications for DRAM is the main memory in modern computers and graphics cards.

DRAM 상품 목록

범주
공장
밀도
조직
속도
새롭게 하다
포장
모델 밀도 조직. 속도 새롭게 하다 포장 공장 조작
모델 H9CCNNN8JTALAR 밀도 8Gb 조직 x32 속도 T/U 새롭게 하다 포장 FBGA 공장 Hynix 문의
모델 H9CCNNN4GTMLAR 밀도 4Gb 조직 x32 속도 K/T 새롭게 하다 포장 FBGA 공장 Hynix 문의
모델 H9CCNNN8KTALBR 밀도 8Gb 조직 x32 속도 U 새롭게 하다 포장 FBGA 공장 Hynix 문의
모델 H9CKNNN8GTMPLR 밀도 8Gb 조직 x32 속도 T/U 새롭게 하다 포장 FBGA 공장 Hynix 문의
모델 H9CCNNNBPTALBR 밀도 16Gb 조직 x32 속도 U 새롭게 하다 포장 FBGA 공장 Hynix 문의
모델 H9CCNNNBLTALAR 밀도 16Gb 조직 x32 속도 T/U 새롭게 하다 포장 FBGA 공장 Hynix 문의
모델 H9CKNNNBJTMPLR 밀도 16Gb 조직 x32 속도 U 새롭게 하다 포장 FBGA 공장 Hynix 문의
모델 H9CKNNNBKTMRPR 밀도 16Gb 조직 x32 속도 U 새롭게 하다 포장 FBGA 공장 Hynix 문의
모델 H9CKNNNBKTMTDR 밀도 16Gb 조직 x32 속도 T/U 새롭게 하다 포장 FBGA 공장 Hynix 문의
모델 H9CKNNNDATMRPR 밀도 24Gb 조직 x32 속도 U 새롭게 하다 포장 FBGA 공장 Hynix 문의
모델 H9CKNNNDATMTDR 밀도 24Gb 조직 x32 속도 U 새롭게 하다 포장 FBGA 공장 Hynix 문의
모델 H9HCNNN8KUMLHR 밀도 8Gb 조직 x16 속도 L/M 새롭게 하다 포장 FBGA 공장 Hynix 문의
모델 H9HCNNNAHUMLHR 밀도 12Gb 조직 x16 속도 L/M 새롭게 하다 포장 FBGA 공장 Hynix 문의
모델 H9HCNNNBPUMLHR 밀도 16Gb 조직 x16 속도 L 새롭게 하다 포장 FBGA 공장 Hynix 문의
모델 H9HKNNNBTUMUAR 밀도 16Gb 조직 x16 속도 L 새롭게 하다 포장 FBGA 공장 Hynix 문의
모델 H9HCNNNBUUMLHR 밀도 16Gb 조직 x16 속도 L 새롭게 하다 포장 FBGA 공장 Hynix 문의
모델 H9HKNNNDGUMUAR 밀도 24Gb 조직 x16 속도 L 새롭게 하다 포장 FBGA 공장 Hynix 문의
모델 H9HKNNNBTUMUBR 밀도 16Gb 조직 x16 속도 L 새롭게 하다 포장 FBGA 공장 Hynix 문의
모델 H9HKNNNDGUMUBR 밀도 24Gb 조직 x16 속도 L/M 새롭게 하다 포장 FBGA 공장 Hynix 문의
모델 H9HKNNNCTUMUAR 밀도 32Gb 조직 x16 속도 L 새롭게 하다 포장 FBGA 공장 Hynix 문의

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