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DRAM

DRAM

Dynamic random-access memory (DRAM) is a type of random access semiconductor memory that stores each bit of data in a memory cell consisting of a tiny capacitor and a transistor, both typically based on metal-oxide-semiconductor (MOS) technology.DRAM typically takes the form of an integrated circuit chip, which can consist of dozens to billions of DRAM memory cells. DRAM chips are widely used in digital electronics where low-cost and high-capacity computer memory is required. One of the largest applications for DRAM is the main memory in modern computers and graphics cards.

DRAM 상품 목록

범주
공장
밀도
조직
속도
새로 고치다
패키지
부품 번호 밀도 조직. 속도 새로 고치다 패키지 공장 작업
부품 번호 K4B2G1646E-BIH9 밀도 조직 128M×16 속도 새로 고치다 패키지 FBGA 공장 Samsung 견적요청
부품 번호 K4B2G1646Q-BMH9 밀도 조직 128M×16 속도 새로 고치다 패키지 공장 Samsung 견적요청
부품 번호 K4B2G1646Q-BCH9 밀도 조직 128M×16 속도 새로 고치다 패키지 BGA 공장 Samsung 견적요청
부품 번호 IDSH1G-02A1F1C-13G 밀도 조직 256M×4 속도 새로 고치다 패키지 BGA 공장 Qimonda 견적요청
부품 번호 MT41K256M4JP-15E:F 밀도 조직 256M×4 속도 새로 고치다 패키지 FBGA 공장 Micron 견적요청
부품 번호 MT41J256M4HQ-15E 밀도 조직 256M×4 속도 새로 고치다 패키지 공장 Micron 견적요청
부품 번호 H5TQ1G43TFR-H9C 밀도 조직 256M×4 속도 새로 고치다 패키지 공장 Hynix 견적요청
부품 번호 H5TQ1G43BFR-H9C-C 밀도 조직 256M×4 속도 새로 고치다 패키지 FBGA 공장 Hynix 견적요청
부품 번호 H5TQ1G43AFR-H9C 밀도 조직 256M×4 속도 새로 고치다 패키지 FBGA 공장 Hynix 견적요청
부품 번호 M5M417500DJ-6 밀도 조직 4M×4 속도 새로 고치다 패키지 soj26 공장 Mitsubishi 견적요청
부품 번호 MT4C4M4B1DJ-6TR 밀도 2K 조직 4M×4 속도 새로 고치다 패키지 SOJ 공장 Micron 견적요청
부품 번호 MT4C4M4B1DJ-5 밀도 2K 조직 4M×4 속도 새로 고치다 패키지 SOJ 공장 Micron 견적요청
부품 번호 MT4C4M4A1TG-6 밀도 4K 조직 4M×4 속도 새로 고치다 패키지 TSOP 공장 Micron 견적요청
부품 번호 MT4C4M4A1TG-5 밀도 4K 조직 4M×4 속도 새로 고치다 패키지 TSOP24 공장 Micron 견적요청
부품 번호 MT4LC4M4B1DJ-5 밀도 2K 조직 4M×4 속도 새로 고치다 패키지 SOJ 공장 Micron 견적요청
부품 번호 MT4C4M4B1DJ-6 밀도 2K 조직 4M×4 속도 새로 고치다 패키지 SOJ 공장 Micron 견적요청
부품 번호 MT4LC4M4B1DJ-6 밀도 2K 조직 4M×4 속도 새로 고치다 패키지 SOP 공장 Micron 견적요청
부품 번호 MT4C4M4A1DJ-6 밀도 4K 조직 4M×4 속도 새로 고치다 패키지 SOJ24 공장 Micron 견적요청
부품 번호 MT4LC4M4B1TG-6S 밀도 2K 조직 4M×4 속도 새로 고치다 패키지 TSOP-26 공장 Micron 견적요청
부품 번호 MT4LC4M4A1DJ-6 밀도 4K 조직 4M×4 속도 새로 고치다 패키지 SOJ 공장 Micron 견적요청