NOR flash memory is one of two types of nonvolatile storage technologies. Nonvolatile memory does not require power to retain data.NOR and NAND use different logic gates -- the fundamental building block of digital circuits -- in each memory cell to map data.
| 부품 번호 | 밀도 | 조직. | 속도 | 새로 고치다 | 패키지 | 공장 | 작업 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 부품 번호 PC28F256P30TFG | 밀도 256Mb | 조직 16Mx16 | 속도 | 새로 고치다 100ns | 패키지 64-TBGA | 공장 Micron | 견적요청 |
| 부품 번호 PC28F256P30TFE | 밀도 256Mb | 조직 16Mx16 | 속도 | 새로 고치다 100ns | 패키지 64-TBGA | 공장 Micron | 견적요청 |
| 부품 번호 PF48F4400P0VBQEF | 밀도 512Mb | 조직 32Mx16 | 속도 | 새로 고치다 100ns | 패키지 88-TFBGA, CSPBGA | 공장 Micron | 견적요청 |
| 부품 번호 RC48F4400P0VB0EJ | 밀도 512Mb | 조직 32Mx16 | 속도 | 새로 고치다 100ns | 패키지 64-TBGA | 공장 Micron | 견적요청 |
| 부품 번호 PC48F4400P0VB0EE | 밀도 512Mb | 조직 32Mx16 | 속도 | 새로 고치다 100ns | 패키지 64-LBGA | 공장 Micron | 견적요청 |
| 부품 번호 M25P40-VMN3PB | 밀도 4Mb | 조직 512Kx8 | 속도 | 새로 고치다 15ms, 5ms | 패키지 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 공장 Micron | 견적요청 |
| 부품 번호 MX25R2035FOIL0 | 밀도 2Mb | 조직 256Kx8 | 속도 | 새로 고치다 100µs, 10ms | 패키지 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 공장 Macronix | 견적요청 |
| 부품 번호 MX25V4006EZUI-13G | 밀도 4Mb | 조직 512Kx8 | 속도 | 새로 고치다 50µs, 1ms | 패키지 8-UFDFN Exposed Pad | 공장 Macronix | 견적요청 |
| 부품 번호 W25X40BVSNIG | 밀도 4Mb | 조직 512Kx8 | 속도 | 새로 고치다 3ms | 패키지 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 공장 Winbond | 견적요청 |
