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STGB35N35LZT4

ST IC 칩 TO-263

STGB35N35LZT4
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STGB35N35LZT4

ST IC 칩 TO-263

  • 제조업체：

    ST

  • 데이터 시트：

    STGB35N35LZT4 datasheet

  • 패키지/케이스：

    TO-263

  • 제품 카테고리：

    IC 칩

  • RoHS Status： RoHS 상태 Lead free/RoHS Compliant

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STGB35N35LZT4 제품 세부 정보

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STGB35N35LZT4

Description

The STGB35N35LZT4 is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed by STMicroelectronics. It's a high-voltage, high-frequency device with built-in protection features. Its primary function is to switch electrical currents in power electronics applications, such as motor drives, solar inverters, or industrial control systems. The EAS rating of 350 mJ ensures the device can withstand surge energy during normal operation.

Features

The STGB35N35LZT4 IGBT transistor features a high voltage rating of 350 V, a low-level clamping voltage, and an EAS (Electromagnetic Acceleration) rating of 350 mJ to ensure it withstands harsh environmental conditions. These characteristics make it suitable for applications requiring high power density and reliable operation in demanding environments.

Manufacturer

The STGB35N35LZT4 is manufactured by STMicroelectronics, a leading global semiconductor manufacturer. STMicroelectronics specializes in designing and producing advanced integrated circuits for various applications, including automotive, industrial, and consumer electronics. In summary, STMicroelectronics is a highly specialized technology company in the semiconductor industry.

Applications

The STGB35N35LZT4 IGBT transistor is designed for high-voltage, high-frequency power electronics applications. It finds use in inverters, motor drives, renewable energy systems, and industrial automation equipment.

Equivalent

The equivalent products of STGB35N35LZT4 by STMicroelectronics are likely other IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) devices with similar voltage rating and current handling capabilities.

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